タルクセラミックス

ブロックタルクセラミックス、タルクセラミックスとも呼ばれるタルク磁器は、高周波デバイス用セラミックスの一種で、優れた電気特性を有しています。タルク磁器は低誘電率（一般にe=6～7）であり、誘電損失角tanδの正接値が（3～20）×10の間で変動する。^-4絶縁強度は通常20～30kV/mmで、体積抵抗率は高い（100 ℃での体積抵抗率は約10 Ω）。¹⁴Ω・cm）、静的曲げ強さは通常120〜200MPa、化学的安定性は良好で、耐酸性、耐アルカリ性、耐食性に優れている。周波数特性から見ると、タルクセラミックスの誘電率は周波数が高くなるにつれて低下し、高周波では温度が高くなってもほとんど変化しない。タンデルタ f=10⁶Hzは周波数が高くなるにつれて低下していたため、高周波デバイス用セラミックスとして使用した場合、タルクセラミックスの優位性が十分に発揮されます。タルクセラミックスは、絶縁強度が高く、誘電損失が小さく、高周波特性に優れているため、誘電率は高くありませんが、高耐圧ハイパワーセラミックコンデンサとして使用することができます。ハイパワーセラミックコンデンサとして使用される低損失タルクセラミックは、誘電正接値が(3.5-4)×10^-4.

生産管理が不適切だと、タルク磁器は適切に配置されません。焼結範囲は狭く、通常20℃前後しかない。焼結制御がうまくいかないと、変形、膨れ、中綿の結合を引き起こし、廃棄物を発生させることが多い。タルクセラミックスの製造において、原料、配合、製造工程が適切に管理されていない場合、経年劣化が発生することがよくある。一旦老化現象が発生すれば、生産と使用に重大な弊害と損失をもたらし、老化現象は非常に重視されなければならない。研究の結果、タルクセラミックスの老化や粉砕は、メタケイ酸マグネシウム（MgSiO₃)、タルクセラミックスの主な結晶相、および結晶変態過程におけるひずみと応力の影響。